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J-GLOBAL ID：201302268633152540   整理番号：12A1799938

神経形態学的回路用の低価格,CMOSコンパチブル,Ta₂O₅-利用半メムリスタ

Low-cost, CMOS compatible, Ta₂O₅-based hemi-memristor for neuromorphic circuits

著者 (4件)： KYRIAKIDES E. (Univ. Cyprus, Nicosia, CYP) ,  CARRARA S. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  DE MICHELI G. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  GEORGIOU J. (Univ. Cyprus, Nicosia, CYP)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 23  ページ： 1451-1452  発行年： 2012年11月08日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 神経形態学的回路における電子シナプスに使用できる素子を開発した。この素子は底面電極,中間の誘電体層,Ta₂O₅活性層,及び上面電極の積層構造から成り,12Vの電圧印加によって銅カチオンがTa₂O₅を絶縁層に拡散させる。CMOS集積回路と完全にコンパチブルであり,付加回路を使用する必要が無く,定電圧/低電流動作が可能であり,低電力生体模倣構造の回路に適する。

シソーラス用語： *回路部品 ,  ニューラルネットワーク ,  シナプス ,  酸化チタン ,  拡散 ,  積層構造 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  ヒステリシス ,  *記憶素子
準シソーラス用語： CMOS集積回路 ,  *メモリスタ ,  低価格 ,  銅イオン

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 神経形態学 ,  低価格 ,  CMOS ,  Ta2O5 ,  メムリスタ