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J-GLOBAL ID：201302268843956103   整理番号：13A1299665

Au/MEH-PPV/多孔性n⁺-GaAs/n⁺-GaAsヘテロ接合の直流および交流モードにおける電気的評価とモデル化

Electrical characterization and modeling of Au/MEH-PPV/porous n⁺-GaAs/n⁺-GaAs heterojunction in direct and alternating current mode

著者 (4件)： BEN JOMAA Taoufik (Lab. de la Matiere Condensee et des Nanosciences (LMCN), Dep. de Physique, Fac. des Sciences de Monastir, Avenue de ...) ,  NOUIRI Mourad (Lab. de Physique des Materiaux et des Nanomateriaux Appliquee a l’Environnement, Dep. de Physique, Fac. des Sciences ...) ,  BEJI Lotfi (Lab. d’Energie et de Materiaux (LABEM), Ecole Superieure des Sciences et de Technol. de Hammam Sousse, Tunisia) ,  BOUAZIZI Abdelaziz (Lab. de la Matiere Condensee et des Nanosciences (LMCN), Dep. de Physique, Fac. des Sciences de Monastir, Avenue de ...)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 13  号： 7  ページ： 1256-1263  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶[2-メトキシ-5-(2′-エチル-ヘキシロキシ)-1,4-フェニレン-ビニレン)](MEH-PPV)薄膜層をn⁺-GaAs基板上に直接,また多孔性n⁺-GaAsを介して,スピンコーティングすることにより,集合構造ヘテロ接合を作製した。電流-電圧および容量-電圧研究により,SCLCにより支配される電流コンダクタンスおよび熱イオンモードをもつ急激な接合挙動を示した。両ヘテロ接合についての空乏幅および平衡バンド不連続性を決めるためにAnderson則を用いた。界面状態密度を評価するためにキャパシタンスおよびコンダクタンス/周波数法を用いた。両方法から得た密度の値はよく一致した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *金 ,  *ポリフェニレンビニレン ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  *直流 ,  *交流 ,  *電気特性 ,  *モデリング ,  *多孔性 ,  多結晶 ,  薄膜 ,  基板 ,  スピンコーティング ,  電流電圧特性 ,  電気測定 ,  コンダクタンス ,  イオン ,  接合 ,  空乏層 ,  バンド構造 ,  Anderson模型 ,  状態密度 ,  周波数依存性 ,  素子構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  画像 ,  パラメータ ,  キャリア ,  イオン放出 ,  空間電荷制限電流 ,  容量電圧特性 ,  有機半導体
準シソーラス用語： *MEH-PPV ,  バイアス電圧 ,  界面状態密度 ,  電荷キャリア ,  熱イオン放出 ,  物理パラメータ

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (9件)： Au ,  MEH-PPV ,  多孔性 ,  GaAs ,  ヘテロ接合 ,  直流 ,  交流 ,  評価 ,  モデル化