文献

J-GLOBAL ID：201302268855375238   整理番号：13A0253224

グラフェンでのスピン緩和に関するESR研究

ESR study of spin relaxation in graphene

著者 (4件)： AUGUSTYNIAK-JABLOKOW Maria A. (Inst. of Molecular Physics, Polish Acad. of Sciences, Smoluchowski Str. 17, 60-179 Poznan, POL) ,  TADYSZAK Krzysztof (Inst. of Molecular Physics, Polish Acad. of Sciences, Smoluchowski Str. 17, 60-179 Poznan, POL) ,  MACKOWIAK Mariusz (Inst. of Molecular Physics, Polish Acad. of Sciences, Smoluchowski Str. 17, 60-179 Poznan, POL) ,  LIJEWSKI Stefan (Inst. of Molecular Physics, Polish Acad. of Sciences, Smoluchowski Str. 17, 60-179 Poznan, POL)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 557  ページ： 118-122  発行年： 2013年02月05日 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,グラフェンでの電子スピン緩和過程について,パルスESR研究を報告した。T₁≒T₂≒0.1~1μsに対応する緩和速度の線形温度依存性,可能な常磁性中心のg因子に関する同様の値,ならびに信号のLorentz型線形は,局在スピンおよび伝導電子からなる強結合均一スピン系について,スピン緩和におけるボトルネック効果を示した。強く相互作用する局在および非局在磁気モーメントに関する理論の枠内でのデータの解釈は,伝導電子のスピン緩和時間として,常磁性中心濃度に依存して,5~30ns程度を与えた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラファイト ,  *超薄膜 ,  *電子スピン緩和 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  常磁性中心 ,  g因子 ,  Lorentz型線形 ,  局在磁気モーメント ,  緩和速度 ,  温度依存性 ,  グラフェン

分類 (2件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  スピン緩和 ,  ESR ,  研究