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J-GLOBAL ID：201302268913350399   整理番号：13A1595417

N型活性材料としてのインデノフルオレンジオン誘導体を用いた垂直型有機トランジスタの特性と耐久性の研究

Studies on the Characteristics and Durability of a Vertical Type Organic Transistor Using Indenofluorenedione Derivatives as an N-Type Active Material

著者 (5件)： LEE Tae Yeon (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  JUNG Dae Young (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Jong Wook (Catholic Univ. Korea, Bucheon, KOR) ,  CHO Jeong Ho (Soongsil Univ., Seoul, KOR) ,  OH Se Young (Sogang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 13  号： 12  ページ： 8016-8019  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,インデノフルオレンジオン誘導体(IF-ジオン-F)をN型半導体バッファ層(活性材料)として用いた垂直型電界効果トランジスタ(OFET)を作製し,ジメチルジシアノキノンジイミン(DMDCNQI)を用いてその接触抵抗を減少させ,カソードと有機活性層間の電子移動度を改良した。OFET素子の構造はITO(ドレイン)/IF-ジオン-F/金属(ゲート)/IF-ジオン-F/DMDCNQI/金属(ソース)である。電流-電圧特性,接触抵抗および素子の耐久性を評価した。特に,ITO/TriF-IF-ジオン/LiAl/TriF-IF-ジオン/DMDCNQI/LiAlからなる素子は低ターンオン電圧と6.0×10³の高オンオフ比を示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  *活性層 ,  N型半導体 ,  垂直型 ,  耐久性 ,  接触抵抗 ,  素子構造 ,  酸化インジウムスズ ,  金属 ,  ドレイン【半導体】 ,  ゲート【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  バッファ層
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ターンオン電圧 ,  電子移動度 ,  *有機トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： DMDCNQI

タイトルに関連する用語 (5件)： 活性 ,  誘導体 ,  垂直型 ,  有機トランジスタ ,  研究