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J-GLOBAL ID：201302269025430127   整理番号：13A0215341

赤外線ランプ加熱MBE成長中のAlN/Si上InNのin situサイクリックパルスアニーリング

In-situ cyclic pulse annealing of InN on AlN/Si during IR-lamp-heated MBE growth

著者 (7件)： HARIMA H ,  YAMAMOTO H ,  MORI Y ,  NANISHI Y ,  ARAKI T ,  BUNGI Y ,  SUZUKI A
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 311  号： 10  ページ： 2776-2779  発行年： 2009年 
JST資料番号： O2133A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 赤外線 ,  ランプ ,  MBE成長 ,  AlN ,  Si ,  InN