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J-GLOBAL ID：201302269190728050   整理番号：13A0408422

大量のホウ素を含有するシリコンの光学特性

Optical properties of silicon with a high content of boron

著者 (3件)： KHIRUNENKO L. I. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  POMOZOV Yu. V. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03028, Kyiv, UKR) ,  SOSNIN M. G. (National Acad. of Sciences of Ukraine, Inst. of Physics, 03028, Kyiv, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 47  号： 2  ページ： 269-274  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大量のホウ素と酸素を有するシリコンを太陽放射スペクトルに近い光で70~80mWcm^-2の強度で照射した後,液体ヘリウム温度で,この材料では周波数1026.7cm^-1で観察される吸収バンドを検出できる。欠陥の成分はホウ素と酸素原子であることが分かる。試料を光に曝すことまたは試料を通過する低電流を流した状態で熱処理することによって誘起される自由電荷キャリアがかなりの濃度になると欠陥が形成される。欠陥の安定した形の先行核によるものと同様に化学成分間の直接の相互作用によって欠陥が形成される。ゲルマニウムによるシリコンのドーピングでは検出できる吸収バンドに相当する欠陥の生成効率が減少する。Copyright 2013 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *ケイ素 ,  *ホウ素 ,  酸素 ,  液体ヘリウム ,  温度 ,  *吸収バンド ,  *格子欠陥 ,  キャリア ,  相互作用 ,  ゲルマニウム ,  ドーピング ,  効率 ,  核形成 ,  光照射
準シソーラス用語： 欠陥形成 ,  太陽光スペクトル ,  電荷キャリア

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： ホウ素 ,  シリコン ,  光学特性