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J-GLOBAL ID：201302269216093740   整理番号：13A1423059

ケイ素表面上の表面光起電力の振動緩和

Oscillatory relaxation of surface photovoltage on a silicon surface

著者 (8件)： OGAWA M. (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  YAMAMOTO S. (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  YUKAWA R. (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  HOBARA R. (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  LIN C.-H. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU R.-Y. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TANG S.-J. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  MATSUDA I. (Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 87  号： 23  ページ： 235308.1-235308.4  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体における光誘起現象は凝縮物質物理学で中心的に興味のあるテーマの一つである。この論文では,筆者らはピコ秒からマイクロ秒までの遅れ時間で表面光起電力の緩和を追跡するためにSi(111)7×7表面上での時間分解光子放出測定を行った。表面光起電力効果の増加に伴って,2つの緩和プロセスがナノ秒と百ナノ秒の時間遅れで見出された。そして,それはトンネル効果と熱電子緩和スキームによってそれぞれ説明される。高レーザ出力密度で,緩和は数十ナノ秒の時間周期で振動する。振動の観察は表面での光起電力の超高速光制御に導く可能性のある表面再結合プロセスでの非線形効果の存在の可能性を示し,キャリア動力学の適切な理論モデルがこれらの興味ある現象の適切な理解のために必要である。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *光起電力 ,  *振動緩和 ,  緩和現象 ,  放射 ,  トンネル効果 ,  動力学
準シソーラス用語： キャリア動力学 ,  光子放出 ,  表面光起電力

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (3件)： ケイ素 ,  表面光起電力 ,  振動緩和