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J-GLOBAL ID：201302269226661275   整理番号：13A1281879

オリゴ(フェニレン-ビニレン)膜と酸化シリコンの界面における非占有電子状態

Unoccupied Electronic States at the Interface of Oligo(phenylene-vinylene) Films with Oxidized Silicon

著者 (5件)： KOMOLOV A. S. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  LAZNEVA E. F. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  AKHREMTCHIK S. N. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  CHEPILKO N. S. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  GAVRIKOV A. A. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 117  号： 24  ページ： 12633-12638  発行年： 2013年06月20日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属や無機半導体とのヘテロ接合で特異的な電子物性を示すフェニレン-ビニレンオリゴマーの超薄膜と酸化シリコン基板の界面における,非占有電子状態(DOUS)密度および表面仕事関数について検討した。ここでは,酸化シリコン基板(SiO₂n-Si上に,熱化学気相蒸着法により調整したトリオリゴ(フェニレン-ビニレン)(OPV(1)),および,ジブチル-チオールにより端末処理したジニトロ置換トリオリゴ(フェニレン-ビニレン)(OPV(2))の超薄膜について,極低速電子回折法,全電流分光法,および密度汎関数理論により検討した。全電流分光法のDOUSスペクトルのピークは,密度関数理論計算によるDOUSピークと一致した。また,OPV(1)及びOPV(2)の蒸着薄膜形成過程で,表面仕事関数値の増大が認められた。さらに,界面での電荷移動は,基板から有機超薄膜層への負電荷移動及び有機膜における極性層の形成により特性化できることを示した。

シソーラス用語： *ポリフェニレンビニレン ,  *オリゴマ ,  超薄膜 ,  *酸化ケイ素 ,  熱CVD ,  *状態密度 ,  仕事関数 ,  低速電子回折 ,  トンネル分光法 ,  密度汎関数法 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： *電子状態密度 ,  熱化学気相蒸着

分類 (3件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-固界面  (CB12060M)

物質索引 (2件)： 1,4-ビス[2-[4-(tert-ブチルチオ)フェニル]エテニル]ベンゼン ,  1,3-ビス[2-[4-(tert-ブチルチオ)フェニル]エテニル]-4,6-ジニトロベンゼン

タイトルに関連する用語 (5件)： フェニレン ,  ビニレン ,  酸化シリコン ,  界面 ,  電子状態