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J-GLOBAL ID：201302269268608889   整理番号：13A0682923

対称性に置換されたビスチオセミカルバゾンリガンドとそれらの銅複合体の低酸素選択性と電子的特性に対する認識:密度関数理論とQM/MMドッキング

Perception into hypoxia selectivity and electronic features of symmetrically substituted bisthiosemicarbazone ligands and their copper complexes: DFT and QM/MM docking

著者 (7件)： CHADHA Nidhi (Inst. of Nuclear Medicine and Allied Sci., Delhi, IND) ,  CHADHA Nidhi (Univ. Delhi, Delhi, IND) ,  TIWARI Anjani K. (Inst. of Nuclear Medicine and Allied Sci., Delhi, IND) ,  KUMAR Vikas (Inst. of Nuclear Medicine and Allied Sci., Delhi, IND) ,  KUMAR Vikas (Univ. Delhi, Delhi, IND) ,  MILTON Marilyn D. (Univ. Delhi, Delhi, IND) ,  MISHRA Anil K. (Inst. of Nuclear Medicine and Allied Sci., Delhi, IND)
資料名： Medchemcomm  (Medchemcomm)
巻： 4  号： 3  ページ： 542-548  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： W2333A  ISSN： 2040-2503  CODEN： MCCEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低酸素選択性イメージング試薬としての機能が確定しているビスチオカルバゾリンリガンド/銅複合体について,ビスチオカルバゾリンリガンドとそれらの銅複合体それぞれに関する生体内および化学的動態の統制に寄与する分子構造パラメータの探索,さらにそれらの電子構造と化学的特性に相関する密度関数理論(DFT)レベルの信頼性についても検討することを目的とした。これらを検討する方法として,銅とこれらリガンドとの結合特性,銅複合体の電子構造対称性置換遊離リガンド配座異性体およびQM/MM法に含まれる記述子により算出されるDFTをコンピュータシ上で分析した。以上の結果から,電子的に誘導される複合体が低酸素細胞での銅との結合解除によりQM/MMドッキングによるHIF-αとの結合を起こすこと,低酸素選択性には銅が必要であることを示した。

シソーラス用語： *分子内力学 ,  立体配座 ,  密度汎関数法 ,  配位子 ,  銅錯体 ,  立体異性体 ,  結合 ,  転写因子 ,  酸素欠乏
準シソーラス用語： HIF-1α ,  QM/MM法【分子力学】 ,  ビスチオセミカルバゾンリガンド ,  リガンドドッキング ,  四座配位子 ,  配座異性体

分類 (1件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y)

物質索引 (1件)： ATSM

タイトルに関連する用語 (9件)： 対称性 ,  置換 ,  銅 ,  複合体 ,  低酸素 ,  選択性 ,  電子 ,  密度関数理論 ,  ドッキング