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J-GLOBAL ID：201302269420945730   整理番号：13A1423011

密度汎関数形式内でのバンドギャップの正確な決定

Accurate determination of band gaps within density functional formalism

著者 (4件)： SINGH Prashant (S N Bose National Centre for Basic Sci., Kolkata, IND) ,  HARBOLA Manoj K. (Indian Inst. Technol., Kanpur, IND) ,  SANYAL Biplab (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  MOOKERJEE Abhijit (S N Bose National Centre for Basic Sci., Kolkata, IND)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 87  号： 23  ページ： 235110.1-235110.6  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強束縛線形マフィンティン軌道(LMTO)法内でのHarbola-Sahni(HS)交換ポテンシャルに基づいた第一原理法を開発し,半導体のバンドギャップを正確に計算した。計算バンドギャップだけでなく,平衡格子パラメータ及び体積弾性率も,実験と良く一致した。さらに,モデルポテンシャルを用いて,原子球の外側領域におけるポテンシャルの改善が,良好なバンドギャップをもたらすことを示し,HSポテンシャルにより予測される正確なバンドギャップが,これらの領域における後者の精度によることを結論した。

シソーラス用語： 半導体 ,  *バンド構造 ,  *バンドギャップ ,  第一原理 ,  密度汎関数法 ,  *近似法 ,  *強束縛近似 ,  *ポテンシャル ,  格子定数 ,  圧縮率
準シソーラス用語： *線形マフィンティン軌道法 ,  格子パラメータ ,  体積弾性率

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  数値解析,近似法  (AB04000F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 密度汎関数 ,  形式 ,  バンドギャップ