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J-GLOBAL ID：201302269505087848   整理番号：13A0962426

水熱法で合成したKNbO₃ナノワイヤの圧電特性の構造依存性

Structural dependence of the piezoelectric properties of KNbO₃ nanowires synthesized by the hydrothermal method

著者 (12件)： JOUNG Mi-ri (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  SEO In-tae (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  KIM Jin-seong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  XU Haibo (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  HAN Guifang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  KANG Min-gyu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  KANG Min-gyu (Principal Res. Scientist, Electronic Materials Center, KIST 39-1 Hawolkok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 137-791, KOR) ,  KANG Chong-yun (Principal Res. Scientist, Electronic Materials Center, KIST 39-1 Hawolkok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 137-791, KOR) ,  KANG Chong-yun (Dep. of Information Technology-Nano Sci., KU-KIST Graduate School of Converging Sci. and Technol., Korea Univ. ...) ,  YOON Seok-jin (Principal Res. Scientist, Electronic Materials Center, KIST 39-1 Hawolkok-dong, Seongbuk-gu, Seoul 137-791, KOR) ,  NAHM Sahn (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., Anam-dong 5-ga, Seongbuk-gu, Seoul 136-701, KOR) ,  NAHM Sahn (Dep. of Information Technology-Nano Sci., KU-KIST Graduate School of Converging Sci. and Technol., Korea Univ. ...)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 61  号： 10  ページ： 3703-3708  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KN単位胞におけるOH^-およびH₂Oの存在のために,合成が120°Cで48時間行われるとき,正方晶のKNbO₃(KN)ナノワイヤが生成した。しかしながら,製造が高温(≧150°C)または120°Cで長期間(≧72h)行われるとき,斜方晶のKNナノワイヤが生成した。さらに,120°Cで60時間の条件で合成したKNナノワイヤは,正方晶および斜方晶構造が共存するモルフォトロピック相境界(MPB)構造を示した。正方晶,斜方晶およびMPB KNナノワイヤはNb⁵⁺-ドープSrTiO₃基板上でも成長し,それらのd₃₃値を初めて測定した。正方晶のKNナノワイヤは23.5pmV^-1のd₃₃値を示し,それは斜方晶のKNのナノワイヤの値(11.6pmV^-1)よりも大きい。多分,それは金属空孔のソフトニング効果のためである。MPB KNナノワイヤは40.0pmV^-1のより大きなd₃₃値を示した。10VのDC電圧の印加によってKNナノワイヤを[100]方向に沿って分極させると,KNナノワイヤのd₃₃値は,斜方晶,正方晶およびMPB KNナノワイヤに対してそれぞれ104.5,137.1および146.0pmV^-1まで増加した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *水熱合成 ,  *ニオブ酸カリウム ,  *ナノワイヤ ,  依存性 ,  正方晶系 ,  斜方晶系 ,  温度依存性 ,  相境界 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  ニオブ ,  ドーピング ,  軟化 ,  自発分極 ,  定数 ,  圧電気 ,  構造
準シソーラス用語： *圧電定数 ,  構造依存性

分類 (3件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水熱法 ,  ナノワイヤ ,  圧電特性 ,  構造依存性