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J-GLOBAL ID：201302269618885406   整理番号：13A0852147

低温成長GaAsの10Kにおけるスピン緩和の観測

Observation of carrier spin relaxation at 10 K in low-temperature grown GaAs

著者 (5件)： UEMURA M. (Waseda Univ.) ,  HONDA K. (Waseda Univ.) ,  YAMAGUCHI R. (Waseda Univ.) ,  LU S. L. (SINANO, CAS) ,  TACKEUCHI A. (Waseda Univ.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.28P-A8-4  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *磁気緩和 ,  円偏光 ,  スピン分極 ,  化合物半導体 ,  結晶成長 ,  ポンププローブ法 ,  反射率
準シソーラス用語： *スピン緩和 ,  低温成長

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温成長 ,  GaAs ,  スピン緩和 ,  観測