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J-GLOBAL ID：201302269626013043   整理番号：13A1175649

共鳴トンネル効果デバイスのシミュレーション: 電流電圧特性でのマルチピーク挙動の起源

Simulation of resonant tunneling devices: origin of the I-V multi-peak behavior

著者 (4件)： WEN J. (Ministry of Education, East China Normal Univ., Key Lab. of Polar Materials and Devices, 200241, Shanghai, People’s ...) ,  LI L. (Ministry of Education, East China Normal Univ., Key Lab. of Polar Materials and Devices, 200241, Shanghai, People’s ...) ,  WENG Q. C. (Ministry of Education, East China Normal Univ., Key Lab. of Polar Materials and Devices, 200241, Shanghai, People’s ...) ,  XIONG D. Y. (Ministry of Education, East China Normal Univ., Key Lab. of Polar Materials and Devices, 200241, Shanghai, People’s ...)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 45  号： 7  ページ： 783-790  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs量子ドット(QD)層の結合されたAlAs/GaAs/AlAs二重バリア共鳴トンネルダイオードにおいて,電流電圧曲線でのマルチピーク挙動をシミュレーションした。シミュレーションの結果から,エミッタ量子井戸(量子ドット)層と中央量子井戸層でのエネルギー準位の結合が,電流電圧特性でのマルチピーク挙動の起源を理解する上でキーポイントであることを示した。エミッタスペーサでのQD層の埋込み設計により,この効果が増強された。電流電圧特性に及ぼすデバイス温度の効果も得た。共鳴トンネル効果デバイスを設計する場合,電流電圧曲線でのマルチピーク挙動を理解するための物理的基礎を得た。Copyright 2013 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,  共鳴トンネル効果 ,  計算機シミュレーション ,  エネルギー準位 ,  *量子ドット ,  電流電圧特性 ,  量子井戸 ,  *ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化アルミニウム ,  エミッタ【半導体】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 共鳴トンネル効果 ,  シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  マルチ ,  挙動 ,  起源