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J-GLOBAL ID:201302269845675671   整理番号:13A0932691

環状薄板によるディープサブミクロン厚膜における極端に小さい残留応力の測定

Measurement of ultra small residual stress in deep submicron thick films by the annular thin plates
著者 (2件):
資料名:
巻: 43  号: 10  ページ: 1263-1267  発行年: 2012年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ディープサブミクロン厚膜の,小さい残留応力を,感度良く測定するために,いくらかの改良を環状構造に施し,その改良した環状構造を用いて,様々の厚みの3つのディープサブミクロン膜を調製して,残留応力を測定し,線形監視装置の下でHF溶液に放出して,臨界触刻期間を得た。臨界触刻期間をANSYSソフトウェアに入力し,固有値座屈解析により,残留応力を予測した。膜内の10MPaに満たない小さい圧縮応力を,その改良した環状構造を用いて消失させることに成功したが,同じ金型で作られた超小型回転構造は,識別可能な変形を発生させることができなく,かつ残留応力を測定する役に立たなかった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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弾性力学一般 
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