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J-GLOBAL ID：201302269983925719   整理番号：13A1271954

誘電分極コントラストにより生じたウルツ鉱型GaAsナノワイヤのRamanスペクトルにおけるE₂フォノン線の消光

Quenching of the E₂ phonon line in the Raman spectra of wurtzite GaAs nanowires caused by the dielectric polarization contrast

著者 (6件)： RAMSTEINER M. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  BRANDT O. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  KUSCH P. (Fachbereich Physik, Freie Universitaet Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin, DEU) ,  BREUER S. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  REICH S. (Fachbereich Physik, Freie Universitaet Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin, DEU) ,  GEELHAAR L. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 4  ページ： 043121-043121-4  発行年： 2013年07月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ウルツ鉱型結晶 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *Ramanスペクトル ,  フォノン ,  誘電分極 ,  Raman分光法 ,  *消光 ,  MBE成長 ,  VLS成長 ,  波長
準シソーラス用語： 励起波長

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘電分極 ,  コントラスト ,  ウルツ鉱 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  Ramanスペクトル ,  フォノン ,  消光