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J-GLOBAL ID:201302270050277935   整理番号:13A1037315

Tp配位子のシリカゲルへの固定とその応用

著者 (4件):
資料名:
巻: 93rd  号:ページ: 306  発行年: 2013年03月08日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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ホウ素含有アニオン性キレート配位子をシリカ担持錯体触媒へと展開することを目指して,トリスピラゾリルボレート(=Tp)型配位子をシリカ上に担持することを試みた。アリル基を有するボロン化合物を出発物質として新規アリル基含有Tp配位子を合成した。そのアリル基とチオール修飾シリカのene-thiolカップリング反応によりTp配位子固定化担体を調製し,その遷移金属誘導体の酸化触媒としての適用性を検討した。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (3件):
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コバルトとニッケルの錯体  ,  第11族,第12族元素の錯体  ,  触媒の調製 
物質索引 (3件):
物質索引
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タイトルに関連する用語 (4件):
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