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J-GLOBAL ID：201302270122316205   整理番号：13A0580173

ヒ化ホウ素(B₁₂As₂)の25°Cおよび850°C間の熱膨張係数

The coefficients of thermal expansion of boron arsenide (B₁₂As₂) between 25°C and 850°C

著者 (3件)： WHITELEY C.e. (Dep. of Chemical Engineering, Kansas State Univ., Manhattan KS 66506, US) ,  KIRKHAM M.j. (High Temperature Materials Lab., Oak Ridge National Lab., Oak Ridge TN 37831, US) ,  EDGAR J.h. (Dep. of Chemical Engineering, Kansas State Univ., Manhattan KS 66506, US)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 74  号： 5  ページ： 673-676  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究は,ホウ素リッチ化合物半導体20面体ヒ化ホウ素(B₁₂As₂)の熱膨張係数を決定するために実施した。B₁₂As₂粉末は,それぞれ1100°Cと600°Cに72時間加熱されたホウ素とヒ素を含む密封した石英アンプル中で合成した。B₁₂As₂の格子定数は,25°Cから850°Cまでの温度範囲で高温X線回折(HTXRD)により測定した。菱面体晶設定において<111>軸に垂直および平行に計算された平均格子熱膨張係数(これは六方晶設定ではそれぞれaおよびc軸に等価である)は,4.9×10^-6K^-1および5.3×10^-6K^-1と計算した。平均単位胞体積熱膨張係数は15.0×10^-6K^-1であった。これらの値を知ることは,合成温度からの冷却に際し,金属溶液から堆積したヘテロエピタキシャルB₁₂As₂薄膜および結晶の亀裂を説明するのに有用である。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ホウ素化合物 ,  ヒ化物 ,  *二十面体 ,  *熱膨張係数 ,  *格子定数 ,  X線回折 ,  三方晶系 ,  *結晶構造 ,  化学合成 ,  *結晶成長 ,  電気材料
準シソーラス用語： 電子材料

分類 (2件)： 非金属のその他の熱的性質  (BL05040J) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (2件)： ホウ素 ,  熱膨張係数