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J-GLOBAL ID：201302270239674340   整理番号：13A1821389

ドープ型非晶質Si:H膜の光電気特性とリン濃度との相関

Correlation between phosphorus concentration and opto-electrical properties of doped a-Si:H films

著者 (3件)： EL-NAGGAR Ahmed M. (King Saud Univ., Riyadh, SAU) ,  BAKRY Assem (Ain Shams Univ., Cairo, EGY) ,  EL-NAGGAR Ahmed M. (Ain Shams Univ., Cairo, EGY)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 124  号： 24  ページ： 6501-6505  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  非晶質Si ,  電気特性 ,  リン ,  相関