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J-GLOBAL ID:201302270498173960   整理番号:13A0505101

裏面照射のためのN-on-P構造を用いた拡張波長640×1リニアInGaAs検出器アレー

Extended-wavelength 640×1 linear InGaAs detector arrays using N-on-P configuration for back illumination
著者 (10件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 11-14,90  発行年: 2012年 
JST資料番号: C0174C  ISSN: 1001-9014  CODEN: HHXUEZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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裏面照明640×1リニアInGaAs検出器アレーを,誘導結合プラズマ(ICP)エッチングによって,N-on-P構造のIn_(0.78)Al_(0.22)As/In_(0.78)Ga_(0.22)As材料上で製造した。検出器の光電特性を研究した。室温におけるカットオフ波長およびピーク波長がそれぞれ,2.36μmおよび1.92μmであることを,結果は示した。R_0Aの平均値は16.0Ωcm2であり,ピーク波長の量子効率は37.5%に達した。一方,リニア検出器アレーの平均ピーク検出能は2.01×10(11)cmHz(1/2)/Wに達し,反応不均一性は約8.77%であり,欠陥画素比率は1msの積分時間に対して0.6%であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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