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J-GLOBAL ID:201302270647088017   整理番号:13A0081527

緑色を増強した窒化物ダイオード光源

Nitride diode sources grow greener
著者 (1件):
資料名:
巻: 48  号: 11  ページ: 32-35  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: B0681B  ISSN: 1043-8092  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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近年のInGaN半導体進展は連続波レーザダイオード光源スペクトルにおける緑色ギャップを埋めつつある。研究所レベルではダイオード投影機に最適な520~535nm帯域の発光が実現している。これはピコプロジェクタにおける緑色光源として魅力的であり,ヒトの視覚感度の最大域である550nmにもう一息というところである。InGaNレーザ発光における材料問題は,極性場が再結合レートおよびレーザ発光効率を低下させていることであり,複数の長波長緑色レーザ開発メーカは半極性プレーン上での構造成長を検討している。
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分類 (3件):
分類
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半導体レーザ  ,  窒素とその化合物  ,  色 
タイトルに関連する用語 (4件):
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