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J-GLOBAL ID：201302270909775606   整理番号：13A0758441

多孔質GaN構造中の圧縮歪の熱アニーリングによって誘起される緩和

Thermal Annealing Induced Relaxation of Compressive Strain in Porous GaN Structures

著者 (4件)： SLIMANE Ahmed B. (King Abdullah Univ. Sci. & Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  NAJAR Adel (King Abdullah Univ. Sci. & Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  NG Tien K. (King Abdullah Univ. Sci. & Technol. (KAUST), Thuwal, SAU) ,  OOI Boon S. (King Abdullah Univ. Sci. & Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 2012  ページ： 921-922  発行年： 2012年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 故意にはドープしていないn型GaN膜(厚さ30μm)をサファイア上に成長させ,次にHF:CH₃OH:H₂O₂溶液中で紫外線を照射してエッチし,次に400,600および800°Cで窒素中でアニールした。これらの試料のRamanスペクトルを測定したところ,スペクトルピークはアニールによって短波長側にシフトすることが分かった。このことは圧縮歪が緩和していることを示している。

シソーラス用語： *多孔質体 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *歪 ,  *焼なまし ,  緩和現象 ,  基板 ,  サファイア ,  フォトエッチング ,  紫外線照射 ,  フッ化水素 ,  過酸化水素 ,  *Ramanスペクトル ,  スペクトルシフト ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： *圧縮歪 ,  歪緩和

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (6件)： 多孔質 ,  GaN ,  圧縮歪 ,  熱アニーリング ,  誘起 ,  緩和