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J-GLOBAL ID:201302271199638112   整理番号:13A1125713

種々のアモルファスシリコン/ゲルマニウム吸収体層構造を有する太陽電池の変換効率のシミュレーション

Simulation on Conversion Efficiency of Solar Cells with Different Amorphous Silicon/Germanium Absorber Layer Structures
著者 (2件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 934-940  発行年: 2012年 
JST資料番号: W1454A  ISSN: 0454-5648  CODEN: KSYHA5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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本報は,構造A-アモルファスシリコン/アモルファスシリコンゲルマニウム(a-Si:H/a-Si 0.65Ge0.35:H)多分子層吸収体構造と,構造B-アモルファスシリコンゲルマニウム(a-Si 0.65Ge0.35:H)単層吸収体構造を,デザインすることを目的とした。AMPS-IDシミュレーションプログラムを,太陽電池の光学的,電気的特性を研究する為に用いた。吸収係数や欠陥濃度などの実験データを,シミュレーション信頼性を保証する為に用いた。太陽電池のショート回路電流密度,開路電圧,フィルファクター,及び,変換効率を,又,分析した。構造Aを有す太陽電池に対し,吸収体層が180nmであり,最大の変換効率は6.88%であった。構造Bを有する太陽電池に対し,吸収層が45nmで,最高の変換効率は,3.44%であった。電子ホール生成と,最結合メカニズムは,構造Aの太陽電池の改善変換効率を説明する事ができた。構造AとBの太陽電池の性能の差を,電子ホール生成と,最結合メカニズムに相関付けた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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太陽電池 

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