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J-GLOBAL ID：201302271324005216   整理番号：13A1236531

a-Si薄膜太陽電池に及ぼす蒸着温度およびレーザスクライブ出力の影響

EFFECT OF DEPOSITION TEMPERATURE AND LASER SCRIBE POWER ON a-Si THIN FILM SOLAR MODULE

著者 (6件)： He Yue (Suntech Power Co. Ltd., Shanghai) ,  Dou Ya’nan (Suntech Power Co. Ltd.; National Lab. for Infrared Physics, Shanghai) ,  Wang Qi (Suntech Power Co. Ltd., Shanghai) ,  Rong Daolan (Suntech Power Co. Ltd., Shanghai) ,  Ma Xiaoguang (Suntech Power Co. Ltd., Shanghai) ,  Chen Shaobin (Suntech Power Co. Ltd., Shanghai)
資料名： Taiyangneng Xuebao  (Taiyangneng Xuebao)
巻： 33  号： 8  ページ： 1371-1374  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0629A  ISSN： 0254-0096  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本報告において,太陽光PVモジュール性能に及ぼす内在性非晶質シリコン(a-Si)層への蒸着温度およびレーザスクライブ出力の影響を議論した。各a-Si層(P/I/N)を,プラズマ強化化学蒸着(PECVD)によって蒸着した。PVモジュールの変換効率は,蒸着温度の変化によって影響を受けた。また,蒸着温度変化は,I層の光学バンドギャップの変化を引き起こした。光学バンドギャップ変化の基本原因を見つけ出すために,Fourier変換赤外分光法(FTIR)を用いて,I層内の水素含有量および接着モードを検出した。レーザスクライブプロセスを採用して,a-Si太陽電池系列の結合を形成させた。スクライブ線の外観を,光学顕微鏡によって特徴づけ,そして,実験結果により,最適出力は,約7.5μJであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *太陽電池 ,  温度 ,  レーザ ,  太陽光 ,  アモルファスシリコン ,  プラズマCVD ,  光学ギャップ ,  光学顕微鏡
準シソーラス用語： *薄膜太陽電池 ,  蒸着温度 ,  非晶質シリコン ,  プラズマ強化化学蒸着 ,  光学バンドギャップ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si薄膜 ,  太陽電池 ,  蒸着温度 ,  レーザ ,  スクライブ