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J-GLOBAL ID：201302271450009057   整理番号：12A0217428

Siベースの超格子Si_(1-x)Sn_x/Siのバンド構造

Band structure of Si-based superlattices Si_(1-x)Sn_x/Si

著者 (3件)： Lue Tieyu (Dep. of Physics; Xiamen Univ., Xiamen) ,  Chen Jie (Dep. of Physics; Xiamen Univ., Xiamen) ,  Huang Meichun (Dep. of Physics; Xiamen Univ., Xiamen)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 59  号： 7  ページ： 4843-4848  発行年： 2010年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Siベースの光発光材料の展望はこの材料がシリコンマイクロエレクトロニクス技術と両立できるので楽観的であった。従って,多くの実験的および理論的研究は直接バンドギャップSiベースの材料の設計に向けられた。コア状態効果,構成要素原子の電気陰性度差異効果および対称性効果に基づいて,Siベースの超格子Si_(1-x)Sn_x/Siを設計した。著者らはSi_0.875Sn_0.125/Siが直接バンドギャップ材料であることを見つけた。この密度汎関数理論フレームにおいて,平面ペスポテンシャル方法の結果は,Si_0.875Sn_0.125/SiがΓ点で最小バンドギャップを有する直接バンドギャップ超格子であることを示した。著者らはこの材料のバンドギャップがGW近似方法によって0.96eVであると予測した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *超格子 ,  *バンド構造 ,  マイクロエレクトロニクス ,  バンドギャップ ,  電気陰性度 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： *Si ,  密度汎関数理論

分類 (1件)： 物理学一般  (BA01010T)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  超格子 ,  バンド構造