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J-GLOBAL ID:201302271662776210   整理番号:13A1322604

半導体ナノワイヤを用いた高効率太陽電池に関する研究

Study on the high-efficiency solar cells based on semiconductor nanowires
著者 (2件):
資料名:
巻: 36  ページ: 101-103  発行年: 2013年08月01日 
JST資料番号: Y0533A  ISSN: 0287-3532  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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半導体ナノワイヤは,1)表面全体を半導体材料で覆わなくても大きな光吸収が期待される(light trapping効果),2)様々な材料系を利用したヘテロ接合によるセル構造が実現可能,3)コアシェル型pn接合構造を用いて光の入射方向とキャリアの拡散方向とを直交させることができるため,キャリアの拡散長の制限によらず光吸収層の厚さを大きくできるため,その使用により太陽電池の高効率化が期待できる。本研究では,ヘテロ構造を有するナノワイヤの光吸収について以下の検討を行った。1)ナノワイヤアレイ太陽電池における光吸収の評価手法の確立,2)様々な材料系におけるナノワイヤアレイのサイズ最適化,および,3)GaAs/Geヘテロ接合を利用したナノワイヤ太陽電池における光吸収と光励起キャリア生成レートの評価を行った。
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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