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J-GLOBAL ID：201302271697335925   整理番号：13A1343911

SnO円板状構造の巨大耐化学性

Giant Chemo-Resistance of SnO disk-like structures

著者 (6件)： SUMAN P.h. (Departament of Physical-Chemistry, Sao Paulo State Univ., Araraquara, SP 14800-900, BRA) ,  FELIX A.a. (Departament of Physical-Chemistry, Sao Paulo State Univ., Araraquara, SP 14800-900, BRA) ,  FELIX A.a. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, MA 02139, USA) ,  TULLER H.l. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, MA 02139, USA) ,  VARELA J.a. (Departament of Physical-Chemistry, Sao Paulo State Univ., Araraquara, SP 14800-900, BRA) ,  ORLANDI M.o. (Departament of Physical-Chemistry, Sao Paulo State Univ., Araraquara, SP 14800-900, BRA)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 186  ページ： 103-108  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素熱還元過程により合成した単結晶SnOマイクロディスクは,触媒やドーパント追加も無く,ナノサイズ特質も無しで約100倍の耐化学性増加を示した。更に,SnOは,CO,H₂,CH₄を含む可能な干渉物質に対し100倍を越えるNO₂選択性を示した。この新規なセンサ材料の大きなセンサ信号と例外的選択性は,単結晶SnOディスクの曝露(001)面上の高密度で活性な孤立電子対存在に起因した。よって,これは,高いガス選択性を実現するナノ特質を利用しない新たな手段を確認させた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 還元 ,  熱化学反応 ,  *酸化スズ ,  円板 ,  単結晶 ,  *耐化学性 ,  *選択性 ,  物質 ,  *二酸化窒素 ,  結晶面 ,  孤立電子対 ,  材料
準シソーラス用語： 炭素熱還元 ,  干渉物質 ,  センサー材料

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  非金属化合物  (CD01070R) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： 円板状 ,  耐化学性