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J-GLOBAL ID：201302271758563306   整理番号：13A1033058

薄膜太陽電池用の透明導電性酸化物としての真性とアルミニウムドープした酸化亜鉛薄膜のゾル-ゲル合成

Sol-gel synthesis of intrinsic and aluminum-doped zinc oxide thin films as transparent conducting oxides for thin film solar cells

著者 (3件)： SALAM Shahzad (State Key Lab. of New Ceramics and Fine Processing, Dep. of Material Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., CHN) ,  ISLAM Mohammad (Center of Excellence for Res. in Engineering Materials (CEREM), Advanced Manufacturing Inst., King Saud Univ., P. O. ...) ,  AKRAM Aftab (School of Chemical and Materials Engineering, National Univ. of Sciences and Technol., Islamabad, PAK)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 529  ページ： 242-247  発行年： 2013年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.2M Zn²⁺前駆体塩とZn²⁺の比が0.75のモノエタノールアミン,及びドーパントとしての1,2at.%アルミニウムを使い,スピンコーティングを介して真性(i-ZnO)とアルミニウムドープの酸化亜鉛(Al:ZnO)薄膜のゾル-ゲル合成を行った。500°C,1時間アニールした後,膜の構造,組成,電気及び光学特性を調べた。走査電子顕微鏡により,滑らかで稠密な膜ミクロ構造でグラニュラーな断面形態を明らかにした。平均結晶粒サイズは,膜組成に依存して25nmから32nmの範囲にあり,より多くのAlを取り込むとサイズが小さくなることを示している。処理条件ではすべての膜が(002)優先成長が有利となり,X線回折分析で決定した優先成長度は0.45と高かった。1at.%AlのAl:ZnO膜は4.06×10^-3Ωcmの最低抵抗率を示し,キャリア濃度は5.52×10¹⁹cm^-3であることが分った。光透過率スペクトルから,膜の吸収端を~370nmと決定した,スペクトルの可視と近赤外の領域で透過率は≧80%であった。計算で求めたバンドギャップ値は,膜をAlドープすると,3.35eVから3.41eVへ連続的な増大を示した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *化合物半導体 ,  *酸化物 ,  *酸化亜鉛 ,  真性半導体 ,  ドーピング ,  半導体薄膜 ,  *ゾル-ゲル法 ,  スピンコーティング ,  *キャリア密度 ,  走査電子顕微鏡 ,  結晶粒径 ,  優先配向 ,  電気抵抗率 ,  透過率 ,  吸収端 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *透明導電性酸化物 ,  薄膜太陽電池 ,  *光透過率

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜太陽電池 ,  透明導電性酸化物 ,  アルミニウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛薄膜 ,  ゾル-ゲル合成