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J-GLOBAL ID：201302271898224340   整理番号：13A0580188

セラミックCrSi₂およびWSi₂の電子構造:Compton分光と第一原理計算

Electronic structure of ceramic CrSi₂ and WSi₂: Compton spectroscopy and ab-initio calculations

著者 (3件)： BHAMU K.c. (Dep. of Physics, M.L. Sukhadia Univ., Udaipur 313001, Rajasthan, IND) ,  SAHARIYA Jagrati (Dep. of Physics, M.L. Sukhadia Univ., Udaipur 313001, Rajasthan, IND) ,  AHUJA B.l. (Dep. of Physics, M.L. Sukhadia Univ., Udaipur 313001, Rajasthan, IND)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 74  号： 5  ページ： 765-771  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属二ケイ化物CrSi₂(C40六方晶)およびWSi₂(C11_b体心正方晶)の安定相の電子運動量密度を,高エネルギー¹³⁷CsのCompton分光計を用いて報告した。実験的研究を支援すべく,両等電子化合物の理論的Comptonプロフィル,エネルギーバンドおよび状態密度を,線形結合原子軌道内の密度関数理論を用いて計算した。エネルギーバンドおよび状態密度の理論的計算は,これらケイ化物の六方晶および正方晶の双方に対して行った。正方晶相では,両ケイ化物とも金属挙動を示した。六方晶CrSi₂はBrillouin帯のL点にある価電子バンド最大値とM点にある伝導バンド最小値の間でエネルギーギャップ(0.28eV)を示し,それに対し,六方晶WSi₂は半金属特性を示した。安定相(CrSi₂には六方晶,WSi₂には正方晶)に対する実験及び理論プロフィルを,等価電子密度でスケールしてみたところ,WSi₂に対してはCrSi₂より共有的特性を示した。結合の性質は現今のMullikenのポピュレーション解析と一致した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セラミック ,  クロム化合物 ,  *ケイ化物 ,  タングステン化合物 ,  *電子構造 ,  *Compton散乱 ,  *第一原理 ,  六方晶系 ,  正方晶系 ,  運動量密度 ,  等電子系列 ,  Brillouin帯 ,  共有結合 ,  ポピュレーション解析 ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  化合物半導体

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミック ,  電子構造 ,  分光 ,  第一原理計算