産業的な薄膜太陽電池応用を目指したシード層手法によるAlドープZnO膜の先端的特性

DEWALD Wilma; SITTINGER Volker; SZYSZKA Bernd; SAEUBERLICH Frank; STANNOWSKI Bernd; KOEHL Dominik; RIES Patrick; WUTTIG Matthias

文献

J-GLOBAL ID：201302271980501297 整理番号：13A0975108

産業的な薄膜太陽電池応用を目指したシード層手法によるAlドープZnO膜の先端的特性

Advanced properties of Al-doped ZnO films with a seed layer approach for industrial thin film photovoltaic application

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資料名：
巻： 534 ページ： 474-481 発行年： 2013年05月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

現状では,スパッタ作製AlドープZnO膜が薄膜シリコン太陽電池モジュール用途として産業利用されている。これらの膜はエッチングによって,μcーSiのような低吸収率の吸収体に必要な光捕獲構造を容易に形成する。高効率薄膜シリコン太陽電池に対するこれまでのベストな構造は,セラミックターゲットの低レート高周波(rf)スパッタリングによって得られている。しかしながら,産業応用には高レートプロセスが不可欠である。そこで,必要な形態および電気的特性を保持して蒸着速度を増大させるためにシード層手法を開発した。rfスパッタリングにより作製した付加的シード層上にセラミックZnO:Al₂O₃ターゲット(1%)の直流(dc)マグネトロンスパッタリングにより,アルミニウムをドープしたZnO膜を動的に蒸着させた。a-Si/μcーSi太陽電池用にエッチング処理によって生成されたZnO:Al膜の形態,光学的および電気的特性について調べた。さらに,原子間力顕微鏡,走査型電子顕微鏡,X線回折およびホール測定を行い,rfまたはdcスパッタ形成膜とシード層上にdcスパッタ形成膜の特性比較を行った。シード層手法により330°Cのセラミックターゲットにおいて,可視光透過性83.5%,抵抗295μΩcm,電子移動度48.9cm²/Vsおよび電子濃度4.3・10²⁰cm^-3のZnO:Al膜を堆積させることができた。1μmの面方向構造のエッチ形態が得られた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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酸化物薄膜

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