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J-GLOBAL ID：201302272099252973   整理番号：13A1408662

グラフェン/Au/Ni界面とグラフェンスピンフィルタの構築におけるその応用

The graphene/Au/Ni interface and its application in the construction of a graphene spin filter

著者 (8件)： RYBKINA A A (St.-Petersburg State Univ., St.-Petersburg, RUS) ,  RYBKIN A G (St.-Petersburg State Univ., St.-Petersburg, RUS) ,  ADAMCHUK V K (St.-Petersburg State Univ., St.-Petersburg, RUS) ,  MARCHENKO D (St.-Petersburg State Univ., St.-Petersburg, RUS) ,  MARCHENKO D (Elektronenspeicherring BESSY II, Berlin, DEU) ,  VARYKHALOV A (Elektronenspeicherring BESSY II, Berlin, DEU) ,  SANCHEZ-BARRIGA J (Elektronenspeicherring BESSY II, Berlin, DEU) ,  SHIKIN A M (St.-Petersburg State Univ., St.-Petersburg, RUS)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 24  号： 29  ページ： 295201,1-9  発行年： 2013年07月26日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンスピンフィルタモデルにおいてグラフェンと強磁性電極との接触を変調して,グラフェンの電子構造が復元されるようにした。このため,グラフェンと強磁性(Ni,Co)電極の間の界面にAu単層をインターカレートして,グラフェンと強磁性電極との強い相互作用をブロックし,Ni(Co)とグラフェンが直接接触して発展するグラフェン電子構造が破壊するのを防いだ。電子構造はシンクロトロン放射の角度・スピン分解光電子分光法により調べた。さらに,余分なバッファグラフェン単層を主グラフェンシート間に挿入して,スピン流輸送を起こし,Au/Ni電極がスピン流を注入するようにした。これによって,グラフェンのスピン系特性が接触現象の影響を受けないようになり,金属のFermi準位に相対的にグラフェン電子構造がピン止めされるのが防がれ,そのため注入電子がグラフェン中へと効率良く流れる。増大したグラフェンπ状態のスピン-軌道分裂のグラフェン/Au/Ni界面のスピン構造の役割を論じた。

シソーラス用語： 炭素材 ,  *金 ,  *ニッケル ,  コバルト ,  *強磁性体 ,  電極 ,  *フィルタ ,  *光電子スペクトル ,  角度分解分光法 ,  異常Hall効果 ,  電流 ,  スピン-軌道相互作用 ,  インターカレーション ,  電子構造 ,  界面 ,  *グラフェン ,  *スピン流
準シソーラス用語： *スピンフィルタ ,  スピン分解分光法

分類 (1件)： その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  Au ,  Ni ,  界面 ,  構築 ,  応用