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J-GLOBAL ID：201302272173427047   整理番号：13A0318382

F₁₆CuPcのCuPc/グラフェン界面電子構造の変更

Modification of CuPc/graphene interfacial electronic structure with F₁₆CuPc

著者 (5件)： WU Qi-hui (Inst. of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  WU Qi-hui (Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF), City Univ. of Hong Kong, Hong Kong SAR, CHN) ,  HONG Guo (Inst. of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  HONG Guo (Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF), City Univ. of Hong Kong, Hong Kong SAR, CHN) ,  LEE S.t. (Inst. of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Soochow Univ., Suzhou, CHN)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 14  号： 2  ページ： 542-547  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機及び固体電極の間の電子構造は高性能有機ベース電子デバイス(例えば有機光起電力及び有機発光ダイオード)を得るのに重大な問題である。このコミュニケーションにおいてフタロシアニンCuPc/グラフェン界面はヘキサデカフルオロフタロシアニナト銅(F₁₆CuPc)のCuPc/グラフェン界面への連続的析出によりF₁₆CuPcとグラフェンとの相互作用のため変更できることを報告した。この方法はこの界面上に他の電子アクセプタ或はドナー層の単純な析出により有機物/グラフェン界面におけるグラフェンDirac点と有機物最高被占分子軌道及び最低非占分子軌道の間のエネルギー障壁高さを変えるのに用いることができる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素材 ,  *電子構造 ,  バンド構造 ,  HOMO ,  LUMO ,  障壁 ,  光起電素子 ,  発光ダイオード ,  *グラフェン
準シソーラス用語： Dirac点 ,  エネルギー障壁 ,  有機光起電力素子 ,  有機発光ダイオード ,  表面電子構造

分類 (1件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (2件)： ヘキサデカフルオロフタロシアニン ,  銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (3件)： CuPc ,  グラフェン ,  界面電子構造