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J-GLOBAL ID：201302272297364566   整理番号：13A0141491

AlドープMgOの光電子的性質に及ぼすAl濃度の影響

Influence of Al concentration on the optoelectronic properties of Al-doped MgO

著者 (4件)： SARMADIAN N. (Universiteit Antwerpen, Antwerpen, BEL) ,  SANIZ R. (Universiteit Antwerpen, Antwerpen, BEL) ,  LAMOEN D. (Universiteit Antwerpen, Antwerpen, BEL) ,  PARTOENS B. (Universiteit Antwerpen, Antwerpen, BEL)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 86  号： 20  ページ： 205129.1-205129.5  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論を局所密度近似の枠組で用いて,AlドープMgOの構造特性,電気的性質,光学的性質をAl含有率(6~56%)の関数として調べた。全体として,結晶相の電気的性質はAl含有率に殆ど影響されなかった。一方,非晶質相の電子構造の変化はより重要で,これは結晶相には見られないバンドギャップにおける深い不純物準位に最も顕著に起因した。これは例えば,光吸収端や屈折率に観測可能な影響をもたらす。従ってこれを用いて,Alドーピング水準による結晶から非晶質への転移を特性化できる。

シソーラス用語： ドーピング ,  *酸化マグネシウム ,  アルミニウム ,  密度汎関数法 ,  近似法 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  *屈折率 ,  光吸収 ,  結晶構造 ,  状態密度 ,  *誘電関数 ,  非晶質 ,  構造相転移 ,  周波数依存性 ,  吸収端 ,  不純物準位
準シソーラス用語： 局所密度近似

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  ドープ ,  MgO ,  光電子 ,  性質