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J-GLOBAL ID：201302272567346310   整理番号：13A0408350

パターン化されたCr薄膜を通してのナノスケールレーザ誘起前方転写

Nanoscale laser-induced forward transfer through patterned Cr films

著者 (5件)： SAMETOGLU V. (Univ. of Alberta, Dep. of Electrical & Computer Engineering, T6G 2V4, Edmonton, AB, CAN) ,  SAMETOGLU V. (Univ. of British Columbia, Dep. of Chemistry, V6T 1Z1, Vancouver, BC, CAN) ,  SAUER V. (Univ. of Alberta, Dep. of Electrical & Computer Engineering, T6G 2V4, Edmonton, AB, CAN) ,  SAUER V. (National Inst. for Nanotechnology, 11421 Saskatchewan Drive, T6G 2M9, Edmonton, AB, CAN) ,  TSUI Y. Y. (Univ. of Alberta, Dep. of Electrical & Computer Engineering, T6G 2V4, Edmonton, AB, CAN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 110  号： 4  ページ： 823-827  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ誘起前方転写(LIFT)の解像度増強をドナー基板上へのCrの前パターニングを通して研究した。第一に顕微鏡スライドガラス上に85nmドットパターンを形成し,波長800nm,パルス長13fs,ビームウェスト~9μmのレーザを用いてCrドットをアクセプター基板上に転写した。しきい値フルエンスは類似の連続薄膜のしきい値フルエンスの約0.15倍であることを見出した。これは連続薄膜実験とは異なり,薄膜自身からCrを剥ぎ取るのに力が要らないためと考えられる。連続薄膜システムにおけるようなレーザパラメータに代わって,材料体積が転写フィーチャサイズを制限するため,最小転写可能フィーチャ直径は連続薄膜の場合と比べてかなり減少する。転写されたフィーチャ直径はレーザパラメータに依存せず,直径はフルエンスの広い範囲にわたって矛盾が無い。しきい値フルエンスでのレーザによって発生された単位面積当たりの力は約0.3GPaと推定され,文献での既報値と矛盾しない。著者らの前パターン化Cr LIFT実験を表現する簡単なモデルはそれをフェムト秒レーザアブレーションの分子動力学シミュレーションのベンチマークのための理想的事例とするであろう。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 微細加工 ,  超小形回路技術 ,  *レーザアブレーション ,  計算機シミュレーション ,  *レーザリソグラフィー ,  *パターン形成 ,  *クロム ,  マイクロマシニング ,  転写印刷 ,  金属薄膜 ,  ナノ構造 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： *パルスレーザアブレーション ,  解像度強化技術 ,  分子動力学シミュレーション ,  *レーザ誘起前方転写 ,  ナノドット

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cr ,  薄膜 ,  ナノスケール ,  レーザ誘起前方転写