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J-GLOBAL ID:201302272976567824   整理番号:13A1101095

AAI_2C_4(A=Zn,Cd,Hg;C=S,Se)半導体の電子構造と光学的性質

Electronic structures and optical properties of AAI_2C_4(A=Zn,Cd,Hg;C= S,Se)semiconductors
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巻: 61  号: 12  ページ: 127103-1-127103-10  発行年: 2012年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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第一原理密度汎関数計算を実施して,それぞれ欠陥を有するAIIAl_2C_4VI(A=Zn,Cd,Hg;C=S,Se)半導体の構造,電子的と光学的性質について研究した。線形光学的性質に関して,5つの化合物はIRと可視光領域の部分で光の良い透過を示して,それらの内で,HgAl_2S_4とHgAl_2Se_4は中間的復屈折を有した。この非線形光学特性に関して,この強い第二調和的発生(SHG)応答をこれらの結晶に関して予想することができて,大きな静的SHG係数(>20pm/V)を本研究で予測した。AIIAl_2C_4VI半導体のSHG応答はAlとHg原子のp状態に帰結するS/Seのp状態から非占有バンドまで誘導された価電子バンドのトップの近くのバンドからの転移に由来した。商品化されたAgGaC_2結晶の光学的性質を比較することによって,著者らの結果はHgAl_2S_4とHgAl_2Se_4化合物がIR領域において二次非線形光学結晶に関する良い候補であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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量子光学一般 
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