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J-GLOBAL ID：201302273047608040   整理番号：13A0239421

増強した熱電エネルギー収集を実現する原子厚みのセレン化ビスマス自立性単層

Atomically Thick Bismuth Selenide Freestanding Single Layers Achieving Enhanced Thermoelectric Energy Harvesting

著者 (9件)： SUN Yongfu (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  CHENG Hao (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  GAO Shan (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  LIU Qinghua (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  SUN Zhihu (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  XIAO Chong (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  WU Changzheng (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  WEI Shiqiang (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  XIE Yi (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 50  ページ： 20294-20297  発行年： 2012年12月19日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能の熱電材料を目指して,原子的な厚みの自立性Bi₂Se₃単層を作製し,その性能を評価した。層状化合物であるBi₂Se₃のバルク体からLi挿入を利用して剥離することで,5原子の厚さの自立性Bi₂Se₃単層を初めて合成することが出来た。これはバルク材料に対して2倍も高い電気伝導性を与える。効果的なフォノン散乱が可能になることで,熱伝導率が減少し,一方で2D電子ガスとエネルギーフィルタリング効果がSeebeck係数を増加させ,バルク材料に対して8倍も高い性能係数(ZT)を与えることが確認された。

シソーラス用語： 層 ,  薄膜 ,  熱起電力 ,  *セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  散乱 ,  輸送係数 ,  *熱電材料
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  *セレン化ビスマス ,  *フォノン散乱 ,  原子層 ,  *薄層

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 増強 ,  エネルギー ,  収集 ,  原子 ,  厚み ,  セレン化ビスマス ,  自立性 ,  単層