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J-GLOBAL ID：201302273051832338   整理番号：12A1798732

圧縮応力を有するPb_0.92La_0.08Zr_0.52Ti_0.48O₃膜の強化された誘電特性

Enhanced dielectric properties of Pb_0.92La_0.08 Zr_0.52Ti_0.48O₃ films with compressive stress

著者 (5件)： MA Beihai (Energy Systems Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  LIU Shanshan (Energy Systems Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  TONG Sheng (Energy Systems Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  NARAYANAN Manoj (Energy Systems Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  (BALU) BALACHANDRAN U. (Energy Systems Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 11  ページ： 114117-114117-9  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学溶液堆積により強誘電性Pb_0.92La_0.08Zr_0.52Ti_0.48O₃(PLZT,8/52/48)膜をNi箔上と白金化シリコン(PtSi)基板上に堆積した。PLZTの堆積前に,Ni箔上にバッファ層として導電性酸化物のLaNiO₃(LNO)を堆積した。X線回折により膜の残留応力を測定した。LNOバッファNi箔上とPtSi基板上に成長した約2μm厚のPLZT膜の残留応力は,それぞれ約-370MPa(圧縮応力)と約250MPa(引張応力)であった。PLZT膜の電気特性も測定した。LNOバッファNi箔上とPtSi基板上に成長したPLZT膜の電気特性はそれぞれ次の通りであった。残留分極:約23.5μC/cm²と約10.1μC/cm²,抗電場:約23.8kV/cmと約27.9kV/cm,誘電率(室温):約1300と約1350,誘電損失(室温):約0.06と約0.05である。Weibull解析から求めたPLZT膜の平均絶縁破壊強度は2.6MV/cm(LNO/Ni)と約1.5MV/cm(PtSi)であった。この誘電特性と絶縁破壊強度の相違はPLZT膜中の残留応力に起因する。著者らの結果は,圧縮応力がPLZT膜の絶縁破壊強度を高めることを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸ランタン鉛 ,  誘電体薄膜 ,  *残留応力 ,  圧縮応力 ,  引張応力 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  *電圧 ,  溶液成長
準シソーラス用語： 化学溶液堆積 ,  *絶縁破壊電圧

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 圧縮応力 ,  強化 ,  誘電特性