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J-GLOBAL ID：201302273162561848   整理番号：13A1077183

単一ドーパント原子トランジスタの電子トンネル輸送高温化-室温動作に向けて-

Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature-Toward room temperature operation

著者 (8件)： MORARU Daniel (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  HAMID Earfan (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SAMANTA Arup (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  ANH Le The (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol.) ,  MIZUNO Takeshi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol.) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. Southampton, GBR) ,  TABE Michiharu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 40(CPM2013 1-21)  ページ： 65-70  発行年： 2013年05月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シングルドーパントトランジスタは,ナノスケールチャネル中のドーパント原子を介した単一電子トンネリングによって動作する。最近まで,単一ドーパントトランジスタの研究は,低温領域(<15K)に限定されてきた。高温では,熱的に活性化されたキャリア移動の方が優勢になるためである。しかし,高温で動作するトンネリング型シングルドーパントデバイスを開発することは,切れの良いスイッチ機能を実現する上で大変重要である。本研究では,特殊なチャネル形状(スタブ型)により誘電閉じ込め効果を利用してトンネル障壁高さを増加させることができ,高温までトンネル電流が優勢となり得ることを示す。これにより,従来の文献値よりもはるかに高い温度(約100K)でトンネリングに起因する電流ピークを観測した。また,理論的な考察のためab initioシミュレーションにより,極小チャネル内のドーパントの基本的な性質を調べた。計算結果は我々の実験結果と整合しており,今後,単一ドーパントトランジスタの室温動作の可能性を示唆している。(著者抄録)

シソーラス用語： *単一電子トンネル効果 ,  規模 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電流 ,  ドーパント ,  温度依存性 ,  スイッチング ,  チャネル ,  ポテンシャル障壁 ,  閉込め ,  計算機シミュレーション ,  高温 ,  *室温
準シソーラス用語： トンネル障壁 ,  *トンネル電流 ,  ナノスケール ,  誘電閉込め

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドーパント ,  原子 ,  トランジスタ ,  電子 ,  トンネル ,  輸送 ,  高温化 ,  室温