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J-GLOBAL ID：201302273579718820   整理番号：13A0041261

In_xGa_1-xAsナノワイヤにおける合金化の実験的証拠と修飾成長モデル

Experimental Evidence and Modified Growth Model of Alloying in In_xGa_1-xAs Nanowires

著者 (10件)： ANDRADE R-Ribeiro (Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, BRA) ,  MALACHIAS A. (Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, BRA) ,  MALACHIAS A. (Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron, SP, BRA) ,  KELLERMAN G. (Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron, SP, BRA) ,  NEGREIROS F. R. (Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, BRA) ,  SANTOS N. M. (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT) ,  SOBOLEV N. A. (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT) ,  MOREIRA M. V. B. (Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, BRA) ,  DE OLIVEIRA A. G. (Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, BRA) ,  GONZALEZ J. C. (Universidade Federal de Minas Gerais, Belo Horizonte, BRA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 46  ページ： 24777-24783  発行年： 2012年11月22日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(111)B基板上に公称InAs組成の自立ナノワイヤをMBE成長する時に,合金化三成分In_xGa_1-xAsナノワイヤの異常生成が見られた。この異常生成への結晶成長条件の影響を調べた。基板からのGaの強い取り込みが結晶成長温度上昇などに伴って起こり,Gaアロイ化三成分ナノワイヤの成長が起こった.本Gaアロイ化ワイヤの成長を基板からのGa拡散の成長モデルで考察した。

シソーラス用語： *合金化 ,  *MBE成長 ,  *ナノワイヤ ,  *三元合金 ,  *インジウム合金 ,  ヒ素含有合金 ,  ガリウム含有合金 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： 拡散モデル ,  *成長モデル

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノワイヤ ,  合金化 ,  実験 ,  証拠 ,  修飾 ,  成長モデル