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J-GLOBAL ID：201302273643788838   整理番号：13A0292724

高k Al₂O₃ブロック酸化物を用いたFePtナノドットメモリのセル特性

Cell Characteristics of FePt Nano-Dot Memories with a High-K Al₂O₃ Blocking Oxide

著者 (6件)： LEE Gae Hun (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jung Min (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  YANG Hyung Jun (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  SONG Yun Heub (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  BEA Ji Cheol (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANAKA Testsu (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 60  号： 11  ページ： 1902-1906  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  誘電体 ,  酸化物 ,  *記憶素子 ,  ナノ構造 ,  *白金合金 ,  *鉄含有合金 ,  *金属薄膜 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  ナノドット ,  *メモリセル ,  高k誘電体 ,  合金薄膜

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al2O3 ,  酸化物 ,  ナノドット ,  セル