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J-GLOBAL ID：201302273694340556   整理番号：13A1803274

1,3ジメチル-2-アリール-2,3-ジヒドロ-1H-ベンゾイミダゾール誘導体の溶液相n-ドーピングに関する機構検討

Mechanistic Study on the Solution-Phase n-Doping of 1,3-Dimethyl-2-aryl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazole Derivatives

著者 (10件)： NAAB Benjamin D. (Stanford Univ., California, USA) ,  GUO Song (Univ. Southern Mississippi, Mississippi, USA) ,  OLTHOF Selina (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  EVANS Eric G. B. (Univ. California, California, USA) ,  WEI Peng (Stanford Univ., California, USA) ,  MILLHAUSER Glenn L. (Univ. California, California, USA) ,  KAHN Antoine (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  BARLOW Stephen (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  MARDER Seth R. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  BAO Zhenan (Stanford Univ., California, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 135  号： 40  ページ： 15018-15025  発行年： 2013年10月09日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体用のn型ドーパントは高エネルギーHOMOと空気安定性の両立に課題がある。ここでは安定なn型ドーパント前駆体分子として1,3-ジメチル-2-フェニル-2,3-ジヒドロ-1H-ベンゾ[d]イミダゾール(DMBI)を用いてin situでのドーピングを検討した。DMBIは製膜後の熱アニール工程で活性ドーピング種であるイミダゾリンラジカルを生成することが示された。DMDIによるPCBM膜のドーピングの反応機構を調べ,水素原子移動と水素化物移動過程を含む複雑なドーピング機構で進行することを示した。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *ドーパント ,  N型半導体 ,  HOMO ,  安定性 ,  *窒素複素環化合物 ,  *前駆体 ,  フラーレン ,  ドーピング ,  *ラジカル ,  熱処理 ,  PCBM ,  *イミダゾリン類 ,  熱アニーリング
準シソーラス用語： 熱アニール

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  光化学反応,ラジカル反応  (CF02090A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： 1,3-ジメチル-2-フェニル-2,3-ジヒドロ-1H-ベンゾイミダゾール

タイトルに関連する用語 (5件)： ジメチル ,  1H-ベンゾイミダゾール ,  誘導体 ,  溶液相 ,  ドーピング