文献

J-GLOBAL ID：201302274210669792   整理番号：13A1623519

VO₂層の金属-絶縁体相転移に基づく可変テラヘルツ・メタマテリアル

Tunable Terahertz Metamaterials based on Metal-Insulator Phase Transition of VO₂ Layers

著者 (7件)： CRUNTEANU A. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  LEROY J. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  HUMBERT G. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  FERACHOU D. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  ORLIANGES J.-C. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  CHAMPEAUX C. (Univ. Limoges, Limoges, FRA) ,  BLONDY P. (Univ. Limoges, Limoges, FRA)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 754-756  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に作った金属のサブ波長周期構造の2次元アレイと,同じ基板上に堆積させた二酸化バナジウム(VO₂)を組み合わせて,テラヘルツ(THz)周波数領域のメタマテリアル調節可能機能を得た。VO₂を使った理由は,温度による可逆相転移として,室温における半導体状態から68°C以上における金属状態への金属-絶縁体(MIT)相転移を示すからである。MITに伴い,抵抗,屈折率,誘電率などの電気的及び光学的特性が,RF領域から光領域まで大きくかつ急激に変化する。VO₂薄膜におけるMITは,種々の外部刺激で起こり,遷移時間は,光学的起動における数百fsから電気的起動における数十nsであることが報告されている。本論文では,このハイブリッド・メタマテリアル・デバイスの0.1~1THzにおける応答に関するシミュレーションと実験の初期的結果を報告した。また,全電子式デバイスも設計した。

シソーラス用語： *電磁波 ,  *人工材料 ,  *金属-絶縁体転移 ,  基板 ,  サファイア ,  周期構造 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *テラヘルツ ,  *メタマテリアル

分類 (1件)： マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

タイトルに関連する用語 (6件)： VO2 ,  絶縁体 ,  相転移 ,  可変 ,  テラヘルツ ,  メタマテリアル