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J-GLOBAL ID：201302274468267982   整理番号：13A1141421

プラズマスプレーによる圧電石英膜材料の調製とその性能解析

Preparation of piezoelectric quartz film material by plasma spraying and its performance analysis

著者 (5件)： Zhang Jian (School of Materials Sci. and Engineering,Xi′an Univ. of Technol., Xi′an) ,  Chen Wenge (School of Materials Sci. and Engineering,Xi′an Univ. of Technol., Xi′an) ,  Wang Yanli (School of Materials Sci. and Engineering,Xi′an Univ. of Technol., Xi′an) ,  Zhao Shanshan (School of Materials Sci. and Engineering,Xi′an Univ. of Technol., Xi′an) ,  Zhuo Lei (School of Materials Sci. and Engineering,Xi′an Univ. of Technol., Xi′an)
資料名： Bingqi Cailiao Kexue yu Gongcheng  (Bingqi Cailiao Kexue yu Gongcheng)
巻： 35  号： 4  ページ： 53-57  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2398A  ISSN： 1004-244X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SiO_2膜をプラズマスプレー法によって首尾よく調製した。厚膜の微細構造と特性を走査電子顕微鏡(SEM)とX線回折(XRD)によって研究した。この結果はSiO_2圧電厚膜の相構造が主にα-石英とα-クリストバライトからなることを示した。しかしこの合成したSiO_2圧電厚膜をより大きな細孔,より大きな欠陥密度および低密度によって特性評価した。SiO_2膜厚さとともに圧電定数d_(33)と誘電率ε_rは増加して,誘電損失tanδはSiO_2膜厚さとともに低下した。誘電率ε_rと誘電損失tanδと機械的品質因子Qは周波数の上昇とともに増加した。SiO_2膜の厚さが5mmであるとき,この最大圧電定数d_(33)は2.3pC/Nに達した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 圧電気 ,  石英 ,  膜 ,  材料 ,  *プラズマ溶射 ,  クリストバライト ,  微細構造 ,  誘電損失 ,  定数 ,  欠陥密度 ,  誘電率
準シソーラス用語： 圧電 ,  *プラズマスプレー ,  圧電定数

分類 (1件)： 溶射  (WC08030N)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマスプレー ,  圧電 ,  石英 ,  膜材料 ,  調製 ,  性能解析