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J-GLOBAL ID：201302274528880131   整理番号：13A1101025

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの放射低下モデルについて

A radiation degradation model of metal-oxide-semiconductor field effect transistor

著者 (5件)： Sun Peng (School of Technical Physics,Xidian Univ., Xi’an) ,  Du Lei (School of Technical Physics,Xidian Univ., Xi’an) ,  Chen Wenhao (School of Technical Physics,Xidian Univ., Xi’an) ,  He Liang (School of Technical Physics,Xidian Univ., Xi’an) ,  Zhang Xiaofang (School of Technical Physics,Xidian Univ., Xi’an)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 61  号： 10  ページ： 107803-1-107803-5  発行年： 2012年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 酸化物捕捉電荷と界面捕捉電荷と放射線障害のミクロ機構に基づいて,放射線量の関数としての酸化物捕捉と界面捕捉のための,照射後閾電圧揺動モデルを提案する。本モデルは酸化物捕捉と界面捕捉のための照射後閾電圧揺動が,低放射線レベルでの放射線量において線形であると予測する。高放射線レベルにおいて,酸化物捕捉のための照射後閾電圧揺動は飽和する傾向があり,そのピーク値は放射線量と相関がなく,界面捕捉による照射後閾電圧揺動は放射線量と指数相関がある。加えて,モデルは,酸化物捕捉電荷と界面捕捉電荷が種々の放射線量で飽和現象を開始し,酸化物捕捉電荷の飽和現象が界面捕捉電荷より早く現れる事を示す。最終的に,実験結果はモデルとよく一致する。本モデルは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタにおける放射線障害のより正確な予測を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  酸化膜 ,  金属 ,  半導体 ,  放射線障害 ,  放射線量 ,  ピーク値 ,  飽和 ,  酸化物 ,  電圧
準シソーラス用語： *電界効果トランジスタ ,  実験結果 ,  飽和現象 ,  閾電圧

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属酸化膜半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  放射 ,  モデル