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J-GLOBAL ID：201302274754215493   整理番号：13A0345962

アモルファスBi_xIn_25-xSe_0.75カルコゲナイド膜の構造と光学特性に及ぼすBi添加物の影響

Effect of Bi additive on structure and optical properties of amorphous Bi _x In_25-x Se₇₅ chalcogenide films

著者 (3件)： SHARMA Shaveta (Semiconductors Lab., Dep. of Physics, GND Univ., Amritsar 143005, IND) ,  KUMAR Praveen (Nanotechnology Res. Centre, DAV Inst. of Engineering and Technol., Kabir Nagar, Jalandhar 144008, Punjab, IND) ,  THANGARAJ R. (Semiconductors Lab., Dep. of Physics, GND Univ., Amritsar 143005, IND)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 13  号： 4  ページ： 731-735  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸着したBi_xIn_25-xSe_0.75(0≦x≦7)膜の構造及び光学特性をX線回折及び光学分光法により調べた。X線回折により,作製したままの試料はアモルファスであるが,膜を440KでアニールするとSe,In₂Se₃及びBi₂Se₂相の結晶化が観測された。主回折ピーク強度の増加はBi濃度に従う不透明膜における結晶特性の増加によることが分かった。5at%のBiを添加すると作製したままの試料でキャリヤタイプが反転することにより電気パラメータが著しく変化した。作製したままの試料で吸収端のレッドシフト及び透過率の低下が観測された。Bi濃度の増加に従い光学ギャップとテイリングパラメータ(x=1以外)間に逆関係が観測された。熱アニーリングした試料で光学ギャップはx≦1まで増加するが,その後減少することが分かった。これらの結果を構造緩和に関係した及び膜ネットワークの不純物によるヘテロ結晶化により論じた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *セレン化物 ,  非晶質 ,  焼なまし ,  結晶化 ,  析出物 ,  電気伝導率 ,  活性化エネルギー ,  *光透過 ,  吸収端 ,  赤方偏移 ,  光学ギャップ ,  真空蒸着 ,  薄膜 ,  添加物効果
準シソーラス用語： アニール ,  熱蒸着

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス ,  カルコゲナイド ,  光学特性 ,  Bi ,  添加物