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J-GLOBAL ID：201302274808019580   整理番号：13A0820452

Ohm接触MEMSスイッチのγ線照射

Gamma-Ray Irradiation of Ohmic MEMS Switches

著者 (3件)： MACIEL John J. (Radant MEMS, Inc., MA, USA) ,  LAMPEN James L. (Radant MEMS, Inc., MA, USA) ,  TAYLOR Edward W. (International Photonics Consultants, CO, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8519  ページ： 851903.1-851903.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RF微小電気機械システム(MEMS)スイッチは,種々の軍事用および商業用の重要なビルディングブロックである。このMEMSスイッチの性能は地上で精力的に試験されているが,宇宙環境における使用についてはほとんど解っていない。ここでは,RadiantMEMS社が開発した,DCからマイクロ波領域で利用される静電駆動のブロードバンドOhm接触微小スイッチのγ線照射結果について記述した。光子エネルギー≧1.0MeVのCo-60からのγ線を,線量合計≒118krad(Si)のを照射した。その結果,ブロードバンド,RF挿入損,挿入位相,反射損およびアイソレーションに関する性能に,統計的に意味のある照射後変化は見いだされなかった。

シソーラス用語： *マイクロスイッチ ,  通信信号 ,  γ線照射 ,  コバルト60 ,  照射試験 ,  Ohm接触 ,  *宇宙環境
準シソーラス用語： *MEMSスイッチ ,  RF信号 ,  無線周波数

分類 (2件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  宇宙通信  (ND08040S)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ohm接触 ,  MEMSスイッチ ,  γ線