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J-GLOBAL ID:201302275008098828   整理番号:13A1386337

新しいN型半導体に向けたジチアゾール結合ナフタレンジイミド

Dithiazole-fused naphthalene diimides toward new n-type semiconductors
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 1087-1092  発行年: 2013年02月14日 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本報では2,6-ジブロモ-1,4,5,8-ナフタレンジイミド(2BrNDI)からのジチアゾール結合NDI...1)と2)の合成と半導体特性を述べた。本分子設計では,A)結合チアザール環はNDIコアと共平面にあり共役長が増し分子間π-π相互作用は増強する,B)1)と2)のLUMOエネルギーは長い共役長とチアゾールの電子求引性から下がる,C)Brのような官能基は,種々のカップリング反応でベンゼン環やチオフェン環へ導入でき,1),2)が新共役分子の新基礎構成要素として使える等を考慮した。サイクリックボルタモグラムに基づき,これらのLUMOエネルギーは未置換NDIより低い-3.99と-3.98eVと推定され,これらの薄膜はN型半導体挙動を示し,1)のOFET(有機電界効果トランジスタ)はアニーリング後に高オン/オフ比率を持ち,最大0.15cm2・V-1・s-1の電子移動度を示した。
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分類 (4件):
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トランジスタ  ,  ナフタレン  ,  チアゾール,イソチアゾール  ,  分子の電気的・磁気的性質 
物質索引 (2件):
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