アブノーマルドパント拡散によって起こるパワーMOSのしきい値電圧シフトに対するSIMS解析

文献

J-GLOBAL ID：201302275108081809 整理番号：13A0823213

SIMS Analysis for the Threshold Voltage Shift of Power MOS Caused by Abnormal Dopant Diffusion

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 38th ページ： 290-292 発行年： 2012年
JST資料番号： D0658B 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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集積回路一般

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