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J-GLOBAL ID：201302275210406534   整理番号：13A1360360

TiO_x素子の性能と安定性に及ぼすNbドーピングの効果

The effect of Nb doping on the performance and stability of TiO_x devices

著者 (4件)： OK Kyung-Chul (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Yoseb (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  CHUNG Kwun-Bum (Dankook Univ., Cheonan, KOR) ,  PARK Jin-Seong (Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 46  号： 29  ページ： 295102,1-5  発行年： 2013年07月24日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO_xベース薄膜トランジスタ(TFT)の性能と安定性に及ぼすニオブ(Nb)ドーピングの効果が研究された。スパッタされたTiO_xは初期に非晶質であったが,450°Cの焼きなまし温度でアナターゼに結晶化した。一方,NbドーピングTiO_x非晶質に留まる。活性化層としてNbドーピングTiO_xを使用するTFT素子は純粋なTiO_x素子と比べて負と正のバイアス応力によるより高い電界効果移動度とより良い安定性を示した。X線光電子分光法(XPS)解析は純粋なTNO(TiO_xとNbドーピングTiO_x)膜が酸素空格子点と関連した欠陥のより大きな密度をもつことを示すが,結晶質TiO_xでの粒界の効果は主なキャリアトラップとして働く思われる。そして,それは正および負のバイアス応力により閾値電圧でより大きなシフトを生じる。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *薄膜トランジスタ ,  ドーピング ,  ニオブ ,  空格子点 ,  *安定性 ,  キャリア移動度 ,  非晶質
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  電界効果移動度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： TiOx ,  安定性 ,  Nb ,  ドーピング