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J-GLOBAL ID：201302275231166274   整理番号：13A0794517

界面トラップの発生に関係したAlGaN/GaN/シリコンへテロ構造の新しい劣化機構

A novel degradation mechanism of AlGaN/GaN/Silicon heterostructures related to the generation of interface traps

著者 (12件)： MENEGHINI M. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  BERTIN M. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  DAL SANTO G. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  STOCCO A. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  CHINI A. (Univ. Modena and Reggio Emilia, ITA) ,  MARCON D. (imec, Leuven, BEL) ,  MALINOWSKI P. E. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  MURA G. (Univ. Cagliari, ITA) ,  MUSU E. (Univ. Cagliari, ITA) ,  VANZI M. (Univ. Cagliari, ITA) ,  MENEGHESSO G. (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  ZANONI E. (Univ. Padova, Padova, ITA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 307-310  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,逆方向バイアスストレス試験を受けたAlGaN/GaN Schottkyダイオードの結果に関する詳細な解析を報告する。この解析は電気測定と2Dシミュレーションを結合したものに基づく。結果からストレスがデバイスの漏れ電流を徐々に増加させることが分かる。容量電圧調査をストレス試験中に発生するデバイス構造変化を解析するための道具として用いた。AlGaN/GaN界面のGaN側上のドナー状トラップからなり,ダイオード漏れ電流の観察される増加を説明する新しい故障機構を実証する。2Dシミュレーションを用いて劣化の仮説を支持し,劣化プロセスを引き起こすトラップパラメータを推定した。

シソーラス用語： *機構 ,  *劣化 ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  キャリア捕獲 ,  捕獲中心 ,  界面 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： Schottkyダイオード ,  界面トラップ ,  劣化機構 ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面トラップ ,  AlGaN ,  GaN ,  シリコン ,  テロ