文献

J-GLOBAL ID：201302276638182769   整理番号：13A1479593

遷移金属酸化物におけるスピンと電荷関連データ蓄積

Spin and charge related data storage in transition metal oxides

著者 (3件)： Yin Yuewei (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale,Dep. of Physics,Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  Yao Yiping (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale,Dep. of Physics,Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei) ,  Li Xiaoguang (Hefei National Lab. for Physical Sciences at Microscale,Dep. of Physics,Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 42  号： 11  ページ： 1185-1195  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 情報技術における急速な発展は高速度と不揮発性メモリの大きな容量にある程度依存した。しかし,トランジスタの大きさが量子様式に達するとき,この減少するスケーリングの便益は従来の半導体装置を克服しがたいボトルネックに遭遇させた。より強力で機能的不揮発性メモリ装置を得るために,数多くの可能性ある代替案を提案して,広範囲にわたって研究した。本論文で,抵抗スイッチング(RS)装置,有機スピンバルブ(OSV)およびマルチフェロイックトンネル効果接続(MFTJ)のようなプロトタイプ装置の新材料,構造および特性に基づくいくつかの候補について報告した。RSプロトタイプ装置の応答時間がこのシステムの界面状態を操作することによって,5ナノ秒までの数オーダーまでに上がることが注目されて,OSVにおける超微細相互作用の重要な役割は同位体効果によって実験的に確認されて,室温4抵抗装置をMFTJで達成した。また,遷移金属酸化物における有望なスピン,電荷関連のデータ蓄積に関する現在の課題と未来研究をこれらの実験結果に基づいて考察した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *酸化物 ,  *遷移金属化合物 ,  *スピン ,  *電荷 ,  データ蓄積 ,  強誘電体 ,  スイッチング ,  不揮発性メモリ ,  超微細相互作用 ,  プロトタイプ ,  トランジスタ ,  トンネル効果 ,  素子構造 ,  半導体素子 ,  同位体効果 ,  表面準位
準シソーラス用語： *遷移金属酸化物 ,  マルチフェロイック ,  抵抗スイッチング ,  スピンバルブ ,  半導体装置 ,  界面状態

分類 (1件)： 物理学一般  (BA01010T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属酸化物 ,  スピン ,  電荷 ,  データ蓄積